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維基夥伴獎學金成果報告書

維基夥伴獎學金成果報告書. 學生:呂政憲 指導教授:陳冠能. 研究摘要與動機. 三維積體電路關鍵技術之一為晶圓級接合( Wafer Level Bonding ),本專題研究 Bonding 製程是否對元件電性造成影響,使元件無法工作或電性改變,以及磨薄製程對元件特性之影響。過程使用相同 n-MOSFET 元件,透過不同「溫度」與「接合壓力」製程環境,完整的數據量測來觀察與分析,最後得出結論。 選擇測試元件資訊如下: Gate L/W(um) : 0.35/10 、 1/10 n-MOSFET 元件 晶向: [100]. ( 圖 1-1) 元件剖面圖

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Presentation Transcript


  1. 維基夥伴獎學金成果報告書 學生:呂政憲 指導教授:陳冠能

  2. 研究摘要與動機 三維積體電路關鍵技術之一為晶圓級接合(Wafer Level Bonding),本專題研究Bonding製程是否對元件電性造成影響,使元件無法工作或電性改變,以及磨薄製程對元件特性之影響。過程使用相同n-MOSFET元件,透過不同「溫度」與「接合壓力」製程環境,完整的數據量測來觀察與分析,最後得出結論。 • 選擇測試元件資訊如下: • Gate L/W(um):0.35/10、1/10 • n-MOSFET元件 • 晶向:[100] (圖1-1)元件剖面圖 Ref:NDL

  3. 元件可靠性測試 測試元件穩定性,將元件穩定性不足因素去除,確保電性變化是由Bonding製程影響,實驗設計如下: • 第一部分:常溫且無製程下量測穩定度 • 第二部分:定溫200°C,測試高溫穩定性 • 定溫操作時間:50 分鐘 • 循環操作次數:4 次 (表1-1)在常溫以及200°C下之Vt (表1-2) 常溫以及200°C 之I-V曲線

  4. Bonding溫度對元件之影響 •   此階段使用Bonder進行製程,Bonding設定參數有「溫度」與「接合壓力」兩種,此處設定接合壓力為零,觀察「溫度」造成的影響,環境設定如下: • 取樣溫度(°C):200、250、300、350、400 • 接合壓力(Pa):0 • 接合時間:50分鐘 • 接合晶圓:Si (表1-4) 不同取樣溫度的I-V曲線 (表1-3) 不同取樣溫度的Vt

  5. Bonding接合壓力對元件之影響 • 最後階段設定的取樣溫度相同,加入「接合壓力」的環境設定參數,觀察「接合壓力」對元件的影響,環境設定如下: • 取樣溫度(°C):200、250、300、350、400 • 接合壓力(105Pa):0.5、1.5、2.5 • 接合時間:50分鐘 • 接合晶圓:Si (表1-5) 不同取樣溫度與 接合壓力之Vt (表1-6) 不同取樣溫度與接合壓力之I-V曲線

  6. 磨薄製程對元件之影響 • 從晶圓背面將元件磨薄,測試磨薄過程中的震動與晶圓厚度是否對元件電性造成影響,環境設定如下: • 取樣厚度(um):690、651、597、554、508、446 • 轉速:550rpm (表1-7) 不同取樣厚度之Vt (表1-8) 不同取樣厚度之I-V曲線

  7. 結論 由實驗數據內容中,首先測試元件可靠性,排除元件本身瑕疵,分別量測「溫度」及「接合壓力」製程條件,得到數據可明顯觀察到電性未受影響。而在磨薄測試中,將厚度磨薄至466um,元件電性表現不受太大的影響。 結論: Bonding與磨薄製程可以操作在Gate length=0.35um以上之n-MOSFET元件,並且電性不造成過大影響。 • 未來展望: • High-k 材料元件於三維積體電路關鍵技術之應用 • 晶圓接合技術對90nm以下電晶體元件之特性影響

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