1 / 9

第 2 章 半导体三极管 (Semiconductor Transistor)

第二章 半导体三极管. C. P. C. N. C. N. B. P. B. P. B. N. E. E. E. 第 2 章 半导体三极管 (Semiconductor Transistor). 2.1 双极型半导体三极管. 2.1.1 晶体三极管. 一、结构与符号. collector. 集电极 C. — 集电区. 集电结. 基极 B. — 基区. 发射结. base. — 发射区. PNP 型. NPN 型. 发射极 E. emitter. 分类：. 按材料分： 硅管、锗管.

lacey-bridges
Download Presentation

第 2 章 半导体三极管 (Semiconductor Transistor)

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. 第二章 半导体三极管 C P C N C N B P B P B N E E E 第2章 半导体三极管(Semiconductor Transistor) 2.1 双极型半导体三极管 2.1.1 晶体三极管 一、结构与符号 collector 集电极C — 集电区 集电结 基极B — 基区 发射结 base — 发射区 PNP型 NPN型 发射极E emitter 分类： 按材料分：硅管、锗管 按结构分：NPN、PNP 小功率管 < 500 mW 高频管 按使用频率分 按功率分 中功率管 500 mW 1 W 低频管 大功率管 > 1 W

  2. 第二章 半导体三极管 E C B B E C uo uo ui ui C E B ui uo RB RC RE uo uo ui RC ui 二、电流放大原理 1. 三极管放大的条件 发射区掺杂浓度高 发射结正偏 外部 条件 内部 条件 基区薄且掺杂浓度低 集电结反偏 集电结面积大 2. 满足放大条件的三种电路 共基极 共发射极 共集电极 实现电路

  3. 第二章 半导体三极管 3. 三极管内部载流子的传输过程 1) 发射区向基区注入多子电子， 形成发射极电流IE I C I CN ICBO （基区空穴运动因浓度低而忽略） 2) 电子到达基区后 I B 大部分向BC结方向扩散，形成ICN 少部分与空穴复合，形成 IBN 。 基区空穴来源： I BN 基极电源提供( IB ) 集电区少子漂移 (ICBO) I E 即： I BN I B + I CBO IB = IBN–ICBO 3) 集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流 I C I C=ICN +ICBO

  4. 第二章 半导体三极管 4. 三极管的电流分配关系 IC = ICN + ICBO IB = IBNICBO 当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结 面积等确定，故电流的比例关系确定，即： 穿透电流 IE = IC + IB

  5. 第二章 半导体三极管 iC C iB B +uCE  RC + uBE  RB E +  +  +  VCC iB VBB IE RB + uBE  VBB +  VBB +  O 2.1.2 晶体三极管的特性曲线 一、输入特性 输出 回路 输入 回路 与二极管特性相似 特性右移（因集电结开始吸引电子） 特性基本重合（电流分配关系确定） 取 0.7 V Si 管: 0.6  0.8 V 导通电压 UBE（on） Ge管: 0.2  0.3 V 取 0.2 V

  6. 第二章 半导体三极管 iC/ mA 4 3 2 1 50 µA 40µA 30 µA 20 µA 10 µA IB =0 uCE/V O 2 4 6 8 二、输出特性 1. 截止区：I B  0的区域 条件：两个结反偏 2. 放大区： 饱 和 区 条件：发射结正偏 放大区 集电结反偏 特点：水平、等间隔 uCEuBE 3. 饱和区： uCB = uCEuBE 0 截止区 条件：两个结正偏 1) I C IB 特点： uCE= uBE 2) 临界饱和： U CE（SAT）= 0.3 V (硅管) 3) 深度饱和： U CE（SAT）=0.1 V (锗管)

  7. 第二章 半导体三极管 iC T2 > T2 O iB = 0 uCE 三、温度对特性曲线的影响 1. 温度升高,输入特性曲线向左移 T2 T2 > 温度每升高1C，UBE 2  2.5 mV 温度每升高10 C，ICBO约增大1倍 2. 温度升高,输出特性曲线向上移 温度每升高1 C，0.5%  1% 输出特性曲线间距增大

  8. 第二章 半导体三极管 iC/ mA 50 µA 40µA 30 µA 20 µA 10 µA IB =0 4 3 2 1 uCE/V O 2 4 6 8 2.1.2 晶体三极管的主要参数 一、电流放大系数 1. 共发射极电流放大系数 — 直流电流放大系数  — 交流电流放大系数 P33 例2.1.2 一般为几十  几百 2. 共基极电流放大系数  1 一般为 0.95  0.99 二、极间反向饱和电流 CE间反向饱和电流 ICEO CB间反向饱和电流ICBO

  9. 第二章 半导体三极管 iC ICM 安 全 工 作 区 PCM ICEO uCE O U(BR)CEO 三、极限参数 (P342.1.7)已知: ICM = 20 mA, PCM= 100 mW, U(BR)CEO = 20 V, 当UCE =10V时，IC <mA 当UCE=1V，则 IC <mA 当IC=2 mA，则 UCE <V 10 20 20 1. ICM— 集电极最大允许电流，超过时 值明显降低 PC = iC uCE 2. PCM — 集电极最大允许功率损耗 3. U（BR）CEO— 基极开路时 C、E 间反向击穿电压 U(BR)CBO—发射极开路时 C、B 间反向击穿电压 U(BR)EBO—集电极极开路时 E、B间反向击穿电压 > U(BR)CEO > U(BR)EBO U(BR)CBO

More Related