1 / 40

Chapter 5 雙載子接面電晶體 (BJT) 元件分析

電子電路與實習. Chapter 5 雙載子接面電晶體 (BJT) 元件分析. 四技一年級下學期 授課教師:任才俊. 二個 pn 界面 ( 電晶體 ). 1948 年,貝爾實驗室發現真空管可將微弱電子訊號放大,但體積大且溫度高。 ( 今日在高功率及極高頻應用仍用真空管 ) 1960 年,第一顆以半導體製程之電晶體製作完成。 npn 型半導體與 pn 半導體不同的是它有二個 pn 界面。其結構就像是二顆陽極連接在一起的二極體,毫無特殊之處。 真正奇妙的結果是調整不同的 p,n 厚度而形成。. n + p n. Emitter Base Collector.

nen
Download Presentation

Chapter 5 雙載子接面電晶體 (BJT) 元件分析

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. 電子電路與實習 Chapter 5雙載子接面電晶體(BJT)元件分析 四技一年級下學期 授課教師:任才俊

  2. 二個pn界面(電晶體) • 1948年,貝爾實驗室發現真空管可將微弱電子訊號放大,但體積大且溫度高。(今日在高功率及極高頻應用仍用真空管) • 1960年,第一顆以半導體製程之電晶體製作完成。 • npn型半導體與pn半導體不同的是它有二個pn界面。其結構就像是二顆陽極連接在一起的二極體,毫無特殊之處。 • 真正奇妙的結果是調整不同的p,n厚度而形成。

  3. n+ p n Emitter Base Collector NPN電晶體 • 刻意將中間的p型半導體做得很薄 • 將其中一塊n型半導體的摻雜濃度大幅提高(n+) ,使得兩塊n型半導體成為不對稱的結構 • 發現它的行為和兩顆二極體的組合顯著不同,此一發現正式宣告電晶體的來臨

  4. n + p n +  VCE 電子流動方向  VBE + • VBE < Vcut-in B-E界面處於截止狀態,幾乎沒有自由電子或電洞能越過B-E界面,故電流為零。 • VBE > Vcut-in B-E界面處於導通狀態,大量的自由電子由Emitter飛向Base,數量由VBE決定。

  5. n + p n +  VCE 電子流動方向  VBE + • VBE > Vcut-in • 當VCE = 0V • 由Emitter飛向Base的自由電子全部由B極流出。 • 當0 < VCE < 0.3V • 由Emitter飛向Base的自由電子受到Collector正電位吸引,一部分會越過B-C界面由Collector流出,另一部分則由Base流出。 • 當VCE 0.3V時 • 絕大部分由Emitter飛向Base的自由電子都被吸引由Collector流出,僅極少數由B極流出。

  6. 以上的特性和二極體大不相同,所以是一顆嶄新的元件。這顆三端元件稱為雙極性界面電晶體(Bipolar Junction Transistor, BJT)。 • 工作原理整理 • 利用Emitter的高濃度自由電子(n+)主導整個元件的導電行為,相形之下電洞的作用很小。 • 利用VBE控制Emitter高濃度自由電子的流量。 • 將Base做得很薄,使VCE得以控制流向Base及Collector的比例 。 • Collector參雜濃度最低,面積最大(散熱)。

  7. C B E 電晶體特性 • 截止模式(Cutoff mode) 當VBE < Vcut-in,幾乎沒有自由電子或電洞越過B-E界面,所有電流皆為零 。 • 飽和模式(Saturation mode) 當VBE > Vcut-in,B-E界面處於導通狀態。假如 0V  VCE < 0.3V,此時電晶體處於飽和模式。 • 主動模式(active mode) • 當VBE > Vcut-in,B-E界面處於導通狀態,假如VCE 0.3V,則電晶體處於主動模式。

  8. active mode saturation mode IC cutoff mode 0.3V VCE • 當VBE < Vcut-in(0.5V),BJT處於截止模式,IC=0。 • 當VBE > Vcut-in,BJT處於導通狀態。 • 若0  VCE < 0.3V,BJT工作於飽和模式,IC隨VCE上升而增加。 • 若VCE 0.3V,BJT工作於主動模式,IC等於定值而不隨VCE改變。 • 特性曲線

  9. 主動模式(Active mode) –VBE > Vcut-in且VCE 0.3V IC和VBE的關係和二極體相同且不受VCE影響 IC和IB呈比例關係 在主動模式時,我們一般假定VBE = 0.7V,再利用以上的關係,便可以分析電路得到各電壓電流。

  10. 由KCL得到

  11. 截止模式(Cutoff mode) • VBE < Vcut-in (約0.5V) • B-E界面不導通,Emitter無法發射電子,所以: IB= IC= IE= 0 • 因此利用VBE < Vcut-in可以控制IC,強迫它為零。

  12. 飽和模式(Saturation mode) • VBE > Vcut-in且0  VCE < 0.3V • B-E界面導通,Emitter開始發射電子進入Base。 • IC受VBE和VCE控制,但三者之間並無明確數學關係式存在。 • 為了簡化分析,我們通常作以下兩個假定:

  13. 以上說明顯示BJT是一顆以電壓(VBE)控制電流(IC)的三端元件,這顆元件將非常有用:以上說明顯示BJT是一顆以電壓(VBE)控制電流(IC)的三端元件,這顆元件將非常有用: • 利用VBE < Vcut-in或VBE > Vcut-in則IC=0或IC≠0的特性,使BJT成為一顆很好的開關元件(switching device),可以用在許多開關電路上。 • 當BJT處於主動模式時,利用VBE可以控制IC,特性與理想VCCS類似,是很好的放大元件,可用來製作放大器。

  14. C B E 圖6.3 • 下圖是NPN型BJT的電路符號,三個端點分別是Emitter(E極)、Base(B極)和Collector(C極)。 • 電流IB及IC的方向是流入B極和C極,而IE則是流出E極。 • 事實上BJT就是一顆VCCS,主要利用輸入電壓(VBE)控制輸出電流(IC),只是它的特性不像理想的VCCS那麼單純。 • 在不同的工作模式下,VBE與 IC的關係不同。

  15. E B C PNP電晶體 • PNP電晶體和NPN電晶體的工作原理相同,只是pnp電晶體的主要載子是電洞而非自由電子。 • 右圖是PNP電晶體的電路符號,同樣有E、B、C三極,它們的角色與NPN電晶體相同:E極負責發射電洞,數量由VEB所決定,而電洞由B極和C極流出的多寡則決定於VEC。

  16. E B C • 因為電洞帶正電,正常情況下E極在高電位而B、C極在低電位,故習慣上以VEB、VEC來表示端電壓以避免負號。 • 電流方向也剛好和npn電晶體相反,以符合正常電流方向。 • pnp電晶體同樣是以電壓(VEB)控制電流(IC)的元件,也有三個工作模式。

  17. 截止模式(Cutoff mode) • VEB < Vcut-in (約0.5V) • E極無法發射電洞,所以: IB= IC= IE= 0 • 飽和模式(Saturation mode) • VEB > Vcut-in且VEC< 0.3V • VEB和IC之間無明確關係存在 。 • 為了簡化分析,我們通常作以下兩個假定:

  18. 主動模式(active mode) • VEB > Vcut-in且VEC 0.3V • E極射入B極的電洞幾乎都被吸引到C極,僅剩極少數電洞由B極端流出。 • BJT的電壓電流呈現很有規律的特性,即

  19. PNP電晶體特性幾乎是NPN電晶體的翻版,只是電壓極性和電流方向不同而已。PNP電晶體特性幾乎是NPN電晶體的翻版,只是電壓極性和電流方向不同而已。 • 因為電子的移動速度比電洞快,故NPN電晶體的反應速度比PNP電晶體快,因此實用上以NPN電晶體為主。

  20. 名詞 • 共基極電流增益(Common-base current gain) • 共射極電流增益(Common-emitter current gain) • 處於順向活性區時

  21. BJT電路 • 在分析BJT電路時,我們必須先判斷BJT處於何種工作模式之後,才能正確分析電路。 • 以npn型電晶體為例: • 先判斷BJT是否處於截止模式,判斷的依據是VBE≥ Vcut-in?若VBE < Vcut-in,則BJT處於截止模式。 • 若VBE Vcut-in,則BJT處於主動或飽和模式。判斷兩者的方法為觀察VCE。若VCE < 0.3V則處於飽和模式,否則處於主動模式。 或者觀察IB及IC。若IC < IB則處於飽和模式,否則處於主動模式(IC = IB)。以上兩者之一成立,另一個也必然成立。

  22. VCC 10K RC RB 4.3K +  VBB 圖E6.1 • 例一 • 假定VCC=10V,β=100,在以下情況下求IC、IB (1)VBB = 0.2V; (2)VBB =1V; (3)假定RB = 43K,VBB = 1V。

  23. +10V RB VC RC 圖E6.2 • 例二 • 在以下情況下求VC (1) RB = 200k;RC=1k; (2)RB=100k;RC=4k。

  24. +10V 10K RC IB VBB RE 10V 圖E6.3 • 例三 • 在以下情況下求IB。 (1) VBB = -2V ,RE=7.3k。 (2) VBB = -2V ,RE=2k。

  25. VCC = 12V RC 4K R1 100K 100K RE R2 5K 圖E6.4 • 例四 • 分析右圖的電路以得到IC, VC , VE。

  26. VCC = 12V RE 5K R1 20K R2 RC 20K 10K 圖E6.6 • 例五 • 分析右圖的電路以得到IC , VC , VE。

  27. 圖E6.8 VCC = 12V R1 10K RC 4K VC2 IB1 Q1 Q2 10K R2 RE1 5.3K RE2 4K • 例六 • 右圖中有兩顆電晶體,其中Q1的C極連接至VCC而E極連接Q2的B極,求(VC2,IE1)。

  28. VCC 負載 I Vo Vx 控制電路 開關 圖6.5 BJT開關電路 • 右圖使用一個開關元件,用來控制一個負載。這個開關元件有三個端點,其中兩個端點分別接負載及地(Ground),另一端點則接到控制電路以決定開或關。

  29. 理想的開關元件處於開的狀態時,能像絕緣體般完全阻絕電流(I = 0);處於關的狀態時,能像金屬導體般完全導通(Vo = 0),使電源電壓完全加到負載上。這個特性是評估一顆開關元件好壞的重要依據。 • 處於開的狀態時,電流I = 0,消耗功率為: • 處於關的狀態時,電壓Vo = 0,消耗功率為:

  30. 因此理想的開關元件不僅特性良好且不消耗任何功率。因此理想的開關元件不僅特性良好且不消耗任何功率。 • 二極體有導通及截止兩個狀態,剛好對應開與關兩個狀態,但由於只有兩個端點,所以不適合作為開關。BJT有三個端點及三個工作模式,若搭配得宜似乎適合作開關元件。

  31. 將開關以BJT取代。藉著偵測電路送來的控制電壓加上適當的電路設計,能使BJT工作在截止模式或飽和模式:將開關以BJT取代。藉著偵測電路送來的控制電壓加上適當的電路設計,能使BJT工作在截止模式或飽和模式: • 當BJT處於截止模式,IC = 0,對應開關open的狀態。 • 當BJT處於飽和模式,VCE = 0.2V,對應開關close的狀態,電源電壓幾乎都加在負載上。 • 若工作於主動模式則此VCE>0.3V ,BJT消耗的功率比飽和模式大,故不適合。

  32. VCC 負載 Vo Vx • BJT的截止模式和理想開關的open狀態相同,而飽和模式近似開關close的狀態(雖然VCE 0V但接近0V),因此BJT可作為很好的開關元件。

  33. +6V RC LED RB Vx • 設計範例A • 其中 RC用來決定LED導通時的電流(對應LED的亮度),RB用來限制IB (若直接加到B極,BJT可能因電流過大而燒燬)並決定BJT的工作狀態。

  34. 設計RC • 設計RB • 保留安全邊距(safety margin) • 每一顆元件都扮演特別的角色 • 元件值的選擇很重要 • 設計時常面臨取捨的問題,如何正確拿捏需要時間及經驗,但這是學習電子學的常態,未來還會不斷面臨類似問題。

  35. 設計範例B • 假設現在有兩個相同的紅外線偵測器分別置於圍牆及大門,在正常情況下其輸出電壓為0V,而當有人侵入時其輸出電壓為5V。 • 現有兩顆LED,一顆發綠光,另一顆發紅光。我們希望設計一個警示電路:在正常情況下(無人侵入),兩顆LED皆不發光。當只有一個偵測器偵測到有人侵入時,綠色LED發光而紅色LED不發光。當兩個偵測器皆偵測到有人侵入時,則兩個LED皆發光。

  36. +6V RC LED RB RB Vx Vy Q1 Q2 +6V RC RB1 Vx Q1 RB2 Vy Q2 圖6.9 LED 圖6.8

  37. 結語 • BJT是很特別的元件,基本上是一顆以電壓(VBE)控制電流(IC)的元件,和以往學過的兩端元件大不相同。 • 雖然它不像理想VCCS有那麼簡單的特性,所以在應用上必須考慮不同的工作模式及設計細節,然而其電壓控制電流的本質,使它可以作為一顆很好的開關元件,應用在許多自動開關電路以及數位電路中。 • 另外它是很好的放大元件,可作出各種放大器。

  38. Homework Page 161 1,2,3,4,5,6,8,10,14,15 加分題 16

More Related