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电子电路调试与应用. 集成放大器的结构 及常用芯片. 集成运放的内部结构及特点. 集成电路 : 将整个电路的各个元件做在同一个半导体基片上。. 集成电路的优点:. 工作稳定、使用方便、体积小、重量轻、功耗小。. 集成电路的分类:. 模拟集成电路、数字集成电路;. 小、中、大、超大规模集成电路;. . 集成电路内部结构的特点:. 1. 电路元件制作在一个芯片上,元件参数偏差方向一致,温度均一性好。. 2. 电阻元件由硅半导体构成,范围在几十到 20 千欧,精度低。高阻值电阻用三极管有源元件代替或外接。.
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电子电路调试与应用 集成放大器的结构 及常用芯片
集成运放的内部结构及特点 集成电路:将整个电路的各个元件做在同一个半导体基片上。 集成电路的优点: 工作稳定、使用方便、体积小、重量轻、功耗小。 集成电路的分类: 模拟集成电路、数字集成电路; 小、中、大、超大规模集成电路;
集成电路内部结构的特点: 1. 电路元件制作在一个芯片上,元件参数偏差方向一致,温度均一性好。 2. 电阻元件由硅半导体构成,范围在几十到20千欧,精度低。高阻值电阻用三极管有源元件代替或外接。 3. 几十 pF 以下的小电容用PN结的结电容构成、大电容要外接。 4. 二极管一般用三极管的发射结构成。
集成运放的结构 对输入级的要求:尽量减小零点漂移,尽量提高 KCMRR,输入阻抗 ri 尽可能大。 对中间级的要求:足够大的电压放大倍数。 对输出级的要求:主要提高带负载能力,给出足够的输出电流io。即输出阻抗 ro小。 (1)采用四级以上的多级放大器,输入级和第二级一般采用差动放大器。 (2)输入级常采用复合三极管或场效应管,以减小输入电流,增加输入电阻。 (3)输出级采用互补对称式射极跟随器,以进行功率放大,提高带负载的能力。
+UCC uo RC RC IC IC1 T1 T2 IC2 IB R1 1 ui1 ui2 E 2 IB2 IE T3 T4 R3 R2 -UEE 为减小IB, 提高输入电阻,T1、T2采用复合三极管 = 1 +2(1+ 1 ) 1 2
+UCC 第2级 RC3 RC RC RE3 T10 T7 T1 T2 T6 T5 RE4 E RL T8 RE5 RE2 T9 T11 RC4 第1级:差动放大器 -UEE 差动放大器 集成运放内部结构(举例) 第4级:互补对称射极跟随器 第3级:单管放大器
理想运放: ri KCMMRR ro 0 Ao 运放的特点: ri大: 几百k几十M KCMRR 很大80dB-120dB ro小:几十 几百 A o很大: 105 107
集成运放的主要性能指标 1、开环差模电压放大倍数Aod 无外加反馈回路的差模放大倍数。一般在105 107之间。理想运放的Aod为。 2、共模抑制比KCMMR 常用分贝作单位,一般100dB以上。 3、差模输入电阻rid ri>1M, 有的可达100M以上。 4、输出电阻ro ro=几-几十。 5、输入失调电压VIO mv级
常见芯片及典型应用 1、LM324 主要指标: 失调电压VIO=2mV 开环增益Avo=10^5 输入电阻rid=nc 共模抑制比KCMR=85dB 工作电压范围:单3~32V,双±18
2、uA741 主要指标: 失调电压VIO=1mV 共模抑制比KCMR=90dB 开环增益Avo=2*10^5 输入电阻rid=2MΩ 工作电压范围:双±3~±18V
3、NE5532 主要指标: 失调电压VIO=0.5mV 开环增益Avo=5*10^4 输入电阻rid=0.3MΩ 共模抑制比KCMR=100dB 工作电压范围:双±3~±20V
4、LM386 主要指标: 工作电压范围:单4~12V 输出功率Po≈1W 电压增益Avo=20~200 教材P132
5、TDA2030 主要指标: 工作电压范围:双±18V 输出功率Po≈14W TDA2030技术文档
6、LM1875 主要指标: 工作电压范围:双±25V 输出功率Po≈25W