1 / 89

Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg… CODEC – telefónia EPROM – floating gate Mikroprocesszor, memóriák Gordon Moore Scale-down Áramkör-elmélet (kódolás, szűrés, etc.) Analogic „electronic grade” Team – tudományágak

stash
Download Presentation

Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. Történelem • Planar techn. • Dinamikus – kapacitív tárolás • Küszöbfeszültség instabilitás – analóg… • CODEC – telefónia • EPROM – floating gate • Mikroprocesszor, memóriák • Gordon Moore • Scale-down • Áramkör-elmélet (kódolás, szűrés, etc.) • Analogic • „electronic grade” • Team – tudományágak • „Intellectual property”, IP Microelectronics

  2. gate-oxid polysilicon gate Gate Drain Source csatorna n+ n+ p-szubsztrát Rövidcsatornás „telítéses” üzem: Küszöbfeszültség alatti működés: Microelectronics

  3. T2 B T1 Cp A • Szubsztrát visszahatás Usb ΔVth=0,5 Usb 1/2 Microelectronics

  4. Drain Cdb Cgd Szubsztrát Gate Cgs Csb Cgb Source Parazita elemek Microelectronics

  5. nMOS-tranzisztor pMOS-tranzisztor G G S D S D n-zseb p+ n+ p-szubsztrát Latch-up • Latch-up Microelectronics

  6. Gate rg Ugs’ Cgs Cgd ri gmUgs’ rs rd Source Drain Cgb Cdb Idb Csb D1 D2 Bulk (szubsztrát) Microelectronics

  7. Szubsztrát Gate Drain Source n+ p n+ Hordozó p L • Vertikális tranzisztor Microelectronics

  8. Gate oxid réteg UG poliszilicium gate réteg US UD n-adalékolt drain réteg n-adalékolt source réteg Nincs parazita Csatorna a p-szubsztrátban Szigetelt hordozó pl. zafír • Silicon-on-Sapphire, SOS Microelectronics

  9. Bázis Kollektor Emitter n+-emitter n+-kollektor hozzávezetés p-bázis n-kollektor n+-kollektor eltemetett réteg p-szubsztrát • Integrált bipoláris tranzisztor Microelectronics

  10. 3. VLSI chip 2. VLSI chip Tokozás 1. VLSI chip Kerámia hordozó Tokozások MCM, szendvics-szerkezet (mikrohullámú összeköttetések) Microelectronics

  11. Q Q VDD T4 T3 Q T1 A A T2 • Kaszkád feszültségkapcsolt logika (Cascade Voltage Switch Logic, CVSL) Ellentétes (differenciális) vezérlés Ha bemenetek=lebeg, akkor kapacitív tárolás) VDD T4 T3 Q T1 T2 D D CLK Microelectronics

  12. Logikai családok statikus CMOS dinamikus CMOS (Domino) transzfer gates áramkapcsolt (CML) kaszkád feszültség-kapcsolt (CVSL) emittercsatolt (ECL) BiCMOS adiabatikus, retractile Microelectronics

  13. Vcc p p A Y=A +B B C t n n ELŐTÖLTÉS p Y=A.B n A C ki n B KIÉRTÉKELÉS n VCC  Logikai családok 1.Statikus CMOSlogika. 2. Dinamikus CMOS logika. 3. Több-kimenetű Dinamikus CMOS logika. Vcc T1 Y1 C1 T2 D  Y2 C2 A E M F B  Microelectronics

  14. p A 4. Transzfer-gates logika. n A Y=A  B p n B Vcc 5.Emittercsatolt logika. R1 R2 B A Uref Y=A . B Microelectronics

  15. Vcc T1 p A Q1 n T2 A T3 Ct n Q2 n T4 6. BiCMOS logika Microelectronics

  16. Vcc p A A n Ct VDD R1 A·B+C·D URef 7. Current Mode Logic, CML URef D B A C CMOS alapinverter Microelectronics

  17. Microelectronics

  18. VCC p Q Q n C2 C1 n n SET RESET T1 p n Statikus RS-tároló. Brute force!!! Microelectronics

  19. Vcc DOMINO CMOS dinamikus, egyfázisú logika p Y=A.B A n C ki Cparazita B n  Vcc Vcc Vcc  n nMOS logika A.B A.B Y=A.B.D C3 C1 A C2 B D Statikus inverter DOMINO CMOS fokozatok összekapcsolása statikus inverterrel Microelectronics

  20. GHz-es CMOS logikák időzítés – fázisjelek deskew áramkörök jel-regenerálás, átmeneti tárolók (transzparens latch-ek) differenciális jel-vezetés Microelectronics

  21. VDD VDD T4 T7 CLK Q I1 I2 I3 Q M CLK C2 C1 T3 T6 T2 D T5 CLK T1 CLK • Gyors beírású, a kimeneten megfogott D-tároló Microelectronics

  22. Memóriák Microelectronics

  23. bit line V p p CC bit line n n n n word line read write read write 6-tranzisztoros statikus tároló cella Microelectronics

  24. ECL kiolvasású 6-tranzisztoros tároló cella Read Word Line Read Bit LIne p p n n Q 1 n n - V EE out Q 2 Write Word Line V ref sense amplifier - V EE Microelectronics

  25. VCC BL2 BL1 BL1 BL2 WL1 WL2 • Duál-port RAM Microelectronics

  26. Oszlop szelektálás Bit Bit UG VDD, nincs áram Φ fázisjel nyitja T7-et, kiválasztjuk az oszlopot, ΔU feszültségek lépnek fel, T1, T2 az „erősítőre” kapcsol, T5 nyit, T6 zárva marad, UG→0, Adat ki = VDD, ui. T4 árama=0 kell legyen. Ha fordítva, akkor T6 nyit, T4 zárva, ezért Adat ki =0, nincs munkaellenállás! T5 zár, ezért UG=VDD. végül Φ→0, T7 lezár, • Áramtükrös SRAM kiolvasó erősítő T1 T2 VDD T7 +ΔU ΔU=0 T3 T4 Adat ki UG T5 T6 T7 Φ Microelectronics

  27. Bit VDD Kis felhúzó áram T2 T1 Bit Oszlop szelektálás Billenőkörös kiolvasó erősítők Bit Bit T1 T2 Memória cellák WL Y Φ X Itt vezérel, nyitva, de I=0 VDD-10mV Oszlop T3 T4 T3 T4 VDD metastabil Y X Földelés T5 T5 T6 T6 Adat ki Adat ki T7 T7 T8 T8 Φ Φ T10 T11 T9 T9 b) Φ Φ a) Microelectronics

  28. VDD VDD A0 ECL –MOS Translator Q1 URef CL Q2 • ECL sordekóder Microelectronics

  29. Kimeneti vonal (invertált) • 3-tranzisztoros dinamikus (analóg) cella Bemeneti vonal T3 Read Analóg áramkörök: aritmetikához T1 T2 CS Write Microelectronics

  30. bit line word line CS CBL read amplifier 1-tranzisztoros dinamikus RAM cella Microelectronics

  31. Dummy Word line Word line Strobe2 V V ref ref p p Prech Prech bitline bitline C 1 C 2 n n C V s ref Strobe1 Prech Dummy cell Dinamikus RAM cella kiolvasó erősítő Microelectronics

  32. C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 Clock Sor-cím Oszlop-cím Cím Burst kezdete Adat RAS Latency CAS Szinkron DRAM ütemezése Régi DRAM: aszinkron. Itt processzor tudja latency-t, és akkor olvas ki. Microelectronics

  33. CKE BANK0 16 Mbit (1Mx16) control L D memory array 2048 CKL logic SDRAM 2K 256 16 * * CS row address row 256x16 WE CD 11 decoder latch CAS 2 sense amplifiers DML, DMH column RAS burst address I/O gating counter latch DQM mask logic command mode reg. data decoder 256 output register L C B D0-D15 column decoder data A0-A10 address register 256 input R register column BA sense amplifiers address row buffer I/O gating address DQM mask logic MUX multiplexer row refresh decoder counter row 256x16 address latch BANK1 refresh controller L D 2048 memory array 2K 256 16 * * Microelectronics

  34. DDR (Double Data Rate)-RAM • EDO-RAM (kimeneti tároló, közben címek) • Beágyazott RAM-ok: dual oxide technique • RAMBUS • SAM • Video RAM Microelectronics

  35. Vezérlő gate Lebegő (floating) gate Drain Source Csatorna UV-EPROM cella Kapacitív osztó, Lavina-hatás (hot elektron) Microelectronics

  36. from gate + + n n Klasszikus EEPROM cella (Tunnelezés a drain-ről) Control gate 0 V +12V Kapcsoló tranzisztor +5V S D +12V + +5V 0 V +12V URead tunnel oxid to gate READ ERASE WRITE Microelectronics

  37. Word line S D tunnel oxid + + n n Flash memória cella Bit line 0 V Word line D S +12V Közös föld Törlés: minden source → +12V, electronok: vissza source-ba Microelectronics

  38. GND D +5V S +12V Split-gate EEPROM cella Alagút-hatás Control gate Source Drain GND D +12V n n S GND Forró elektronok c/ b/ a/ Microelectronics

  39. 1. Bit-vonal 2. Bit-vonal WL0 WL1 WL14 WL15 Közös source • NOR-rendszerű Flash memória Helyfoglalás Write: source=0, BL=high, WL=+U Erase: közös source =+U, WL= -U, BL=lebeg egyszerre a blokk Read: source=0, drain=R, WL=cím Microelectronics

  40. NAND-rendszerű Flash memória struktúra Jó helykihasználás, lassú (soros) Write (Tx): BLx szelektálás Source szelektálás, KS=0 BLx=0 WLx= ++U, a többi +U csatorna mindenütt, tunnel Tx Erase: zseb=++U, összes WL=0 minden cella törlődik Read (read-through, „cellákon át”): BL, KS szelektálás Source=0, BL= pull-up WL (nem Tx)=normál csatorna WLx=0, kiolvasás függ lebegő gate-től (BLX) 1. Bit-vonal 2. Bit-vonal Bit-vonal szelektálás WL0 Sor- dekóder WL1 WL14 (WLX) WL15 Közös source szelektálás (KS) TX Közös source Microelectronics

  41. Programozott kapcsoló FPGA, redundáns memória, A/D kalibrálás D T1 Programozás A S UVez A Kapcsoló T2 rds B B Közös lebegő gate Microelectronics

  42. szóvonal F fém 2 V fém SS V F poly DD 1 V V DD DD fém F 1 F poly 1 F 1 A 2 A 2 A A A 0 2 1 szóvonal A 1 poly A 1 F F A 2 1 0 V A SS 0 F 1 poly V fém SS Dinamikus sordekóder elrendezése Microelectronics

  43. 9 bit program counter Main Memory BANK TAG-RAM 13 DATA-RAM MISS 9 CPU databus 8K x 9bit SRAM HIT decoder HIT / MISS comparator Cache-Tag memória struktúra Microelectronics

  44. L3 cache L2 cache Cache memóriák Hierarchikus memória-felépítés: L1I, L1D utasítás és adat-memória L2 L3 Main memory Disc L1 utasítás cache és fetch Ugrás jóslás utasítás queue Regiszter- és stack-kezelés Elágazás regiszterek Egészszám regiszterek Lebegőpontos regiszterek Integer és multimédia egység Elágazás egység L1- adat cache Lebegő- pontos egység Busz vezérlő és ECC Microelectronics

  45. A/D átalakítók Microelectronics

  46. 8-bites flash A/D átalakító Uref Ube 0 R/2 ROM 256  8bit + R 0 + higany R 1 + 1 R + ‘Thermometer’ XOR R/2 D0 D7 Microelectronics

  47. Aláosztásos (subranging) A/D átalakító Differencia-képző Hibajelerősítő D/A Mintavétel és tartás Digitális kimenet Logika Flash konverter Ube K1 Microelectronics

  48. Telecom áramkörök Microelectronics

  49. Jel-utak kialakítása 16x16-os kapcsoló-mátrix 1 • Analóg átvitel: • Rotary-gépek • Crossbar • Mechanikus relék • - Elszigetelt tirisztorok Be 16 Ki 1 16 14. bemenet→2. kimenet Microelectronics

  50. N =2 2 Kapcsoló-mátrix és felbontása N = 4 1 n=16 1 1 4x2 4x2 1 4 4 5 5 4x4 Bemenetek 8 8 9 9 12 12 16 13 13 1 Kimenetek 16 16 16 Egyidejűleg max. nN2/N1 Microelectronics

More Related